La technologie de gravure sèche est un procédé clé. Le gaz de gravure sèche est un matériau essentiel dans la fabrication des semi-conducteurs et une source de gaz importante pour la gravure plasma. Ses performances influencent directement la qualité et les performances du produit final. Cet article présente principalement les gaz de gravure couramment utilisés dans le processus de gravure sèche.
Gaz à base de fluor : tels quetétrafluorure de carbone (CF4), l'hexafluoroéthane (C2F6), le trifluorométhane (CHF3) et le perfluoropropane (C3F8). Ces gaz peuvent générer efficacement des fluorures volatils lors de la gravure du silicium et de ses composés, permettant ainsi l'élimination de matière.
Gaz à base de chlore : tels que le chlore (Cl2),trichlorure de bore (BCl3)et le tétrachlorure de silicium (SiCl4). Les gaz à base de chlore peuvent fournir des ions chlorure pendant le processus de gravure, ce qui contribue à améliorer la vitesse et la sélectivité de gravure.
Gaz à base de brome : tels que le brome (Br2) et l'iodure de brome (IBr). Les gaz à base de brome peuvent offrir de meilleures performances de gravure dans certains procédés, notamment lors de la gravure de matériaux durs comme le carbure de silicium.
Gaz à base d'azote et d'oxygène : tels que le trifluorure d'azote (NF3) et l'oxygène (O2). Ces gaz sont généralement utilisés pour ajuster les conditions de réaction lors du processus de gravure afin d'améliorer la sélectivité et la directionnalité de la gravure.
Ces gaz permettent une gravure précise de la surface du matériau grâce à une combinaison de pulvérisation cathodique et de réactions chimiques lors de la gravure plasma. Le choix du gaz de gravure dépend du type de matériau à graver, des exigences de sélectivité de la gravure et de la vitesse de gravure souhaitée.
Date de publication : 08/02/2025
