La technologie de gravure à sec est l'un des processus clés. Le gaz de gravure sec est un matériau clé de la fabrication de semi-conducteurs et une source de gaz importante pour la gravure du plasma. Ses performances affectent directement la qualité et les performances du produit final. Cet article partage principalement les gaz de gravure couramment utilisés dans le processus de gravure sec.
Gaz à base de fluor: commetétrafluorure de carbone (CF4), hexafluoroéthane (C2F6), trifluorométhane (CHF3) et perfluoropropane (C3F8). Ces gaz peuvent générer efficacement des fluorures volatils lors de la gravure des composés de silicium et de silicium, réalisant ainsi l'élimination des matériaux.
Gaz à base de chlore: comme le chlore (CL2),Trichlorure de bore (BCL3)et tétrachlorure de silicium (SICL4). Les gaz à base de chlore peuvent fournir des ions de chlorure pendant le processus de gravure, ce qui aide à améliorer le taux de gravure et la sélectivité.
Gaz à base de brome: comme le brome (BR2) et l'iodure de brome (IBR). Les gaz à base de brome peuvent fournir de meilleures performances de gravure dans certains processus de gravure, en particulier lors de la gravure des matériaux durs tels que le carbure de silicium.
Gaz à base d'azote et à base d'oxygène: tels que le trifluoride d'azote (NF3) et l'oxygène (O2). Ces gaz sont généralement utilisés pour ajuster les conditions de réaction dans le processus de gravure afin d'améliorer la sélectivité et la directionnalité de la gravure.
Ces gaz atteignent une gravure précise de la surface du matériau à travers une combinaison de pulvérisation physique et de réactions chimiques pendant la gravure du plasma. Le choix du gaz de gravure dépend du type de matériau à gravir, des exigences de sélectivité de la gravure et du taux de gravure souhaité.
Heure du poste: février-08-2025
