La gravure sèche est une technique essentielle. Le gaz de gravure sèche est un élément clé de la fabrication des semi-conducteurs et une source importante pour la gravure plasma. Ses performances influent directement sur la qualité et les performances du produit final. Cet article présente les gaz de gravure les plus couramment utilisés dans le procédé de gravure sèche.
Gaz à base de fluor : tels quetétrafluorure de carbone (CF4)L’hexafluoroéthane (C2F6), le trifluorométhane (CHF3) et le perfluoropropane (C3F8) sont des gaz qui peuvent générer efficacement des fluorures volatils lors de la gravure du silicium et des composés du silicium, permettant ainsi l’enlèvement de matière.
Gaz à base de chlore : tels que le chlore (Cl2),trichlorure de bore (BCl3)et de tétrachlorure de silicium (SiCl4). Les gaz chlorés peuvent fournir des ions chlorure pendant le processus de gravure, ce qui contribue à améliorer la vitesse et la sélectivité de la gravure.
Gaz à base de brome : tels que le brome (Br2) et l’iodure de brome (IBr). Les gaz à base de brome peuvent améliorer les performances de gravure dans certains procédés, notamment pour la gravure de matériaux durs comme le carbure de silicium.
Gaz à base d'azote et d'oxygène : tels que le trifluorure d'azote (NF3) et l'oxygène (O2). Ces gaz sont généralement utilisés pour ajuster les conditions de réaction lors du processus de gravure afin d'améliorer la sélectivité et la directionnalité de la gravure.
Ces gaz permettent une gravure précise de la surface du matériau grâce à une combinaison de pulvérisation cathodique et de réactions chimiques lors de la gravure plasma. Le choix du gaz de gravure dépend du type de matériau à graver, des exigences de sélectivité et de la vitesse de gravure souhaitée.
Date de publication : 8 février 2025
